課程介紹：
本課程首先指出傳統MOSFET發展的瓶頸，進一步說明FinFET的結構、製程及特性，闡釋該結構何以能提供更佳功耗和效能優勢。
課程設計說明：
目前主流的平面CMOS元件結構，在近年內即將面臨其物理極限而難以繼續微縮，而引用新式3D FinFET將可協助製程廠商解決這個瓶頸，並延續其在技術上的優勢。
當代的生產線及研發工程人員，皆須了解此新型結構的原理及特性，及在製造過程中所可能發生的問題及提升良率的關鍵，才得以在新一代製程技術競賽中脫穎而出。本課程將詳細介紹3D FinFET的發展、原理、特性及製程，使學員在課程結束後能對此新式結構有完整的了解，為新一代的製程發展做好準備。
課程大綱：
1. 傳統MOSFET及其限制
(1) MOSFET元件的操作原理與功能
(2) MOSFET操作與尺寸上的關係
(3) MOSFET元件製作
(4) MOSFET元件的限制
2. 3D-FINFET的發展及特性
(1) FINFET元件的發展
(2) FINFET元件的3D構造
(3) FINFET元件特性
3. 3D-FINFET的製作與製程
(1) FINFET元件的製程介紹
(2) FINFET元件的不同構造與製程
(3) FINFET元件的極限
4. 3D-FINFET的原理與特性分析
(1) FINFET元件的原理
(2) FINFET元件的特性曲線
(3) FINFET元件的特性分析
課程時間：2015/5/16-5/23，每週六，10:00~17:00，共12小時
【主辦單位】 經濟部工業局
【承辦單位】 財團法人資訊工業策進會
【執行單位】 財團法人自強工業科學基金會
費用：5000
上課地點：新竹市光復路二段101號清華大學研發大樓
連絡電話：03-5735521-3223
報名網址：http://edu.tcfst.org.tw/query_coursedetail.asp?courseidori=04S410
此為政府計畫補助課程，請連結課程說明網頁，詳閱「智慧電子學院計畫」相關規定。
智慧電子學院計畫相關課程：http://edu.tcfst.org.tw/query_course.asp?special=moeaidball&openmonth=none
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